半導體(tǐ)測試設備行(xíng)業(yè)五大(dà)壁壘構成（✘✘δ附報(bào)告目錄）

1、半導體(tǐ)測試設備行(xíng)★☆業(yè)概況

半導體(tǐ)測試設備主要(yào)包括測試系統（也Ω'‍(yě)稱為(wèi)“測試機(jī)”）、探針台和(hé)分(fēn)選機(∏'jī)。其中測試系統是(shì)檢測芯片功能(néng)和(hé)性能¥←¶∑(néng)的(de)專用(yòng)設備。在™✘測試設備中，測試系統用(yòng)于檢測芯片功能(néng)和(hé)性能(n♥↓≈éng)，技(jì)術(shù)壁壘高(gāo)，尤γ®∑其是(shì)客戶對(duì)于半導體(ε← tǐ)測試在測試功能(néng)模塊、測試精度、響應速度、應用(yò✘♠ ≤ng)程序開(kāi)發平台通(tōng)用(yòng)性、平台可(kě®→♠™)延展性以及測試數(shù)據的(de)存儲、采集•εβ'和(hé)分(fēn)析等方面提出愈來(σ£♥£lái)愈高(gāo)的(de)要(yào)求。探針台與分(fēn)選 ♦<"機(jī)實現(xiàn)被測晶圓/芯片與測試系統功γ¥能(néng)模塊的(de)連接。

相(xiàng)關報(bào)告：北京天南星咨詢有限公司《202£✘1-2026年(nián)半導體(tǐ)行(xíng)∑✔業(yè)市(shì)場(chǎng)專 >&題研究及投資可(kě)行(xíng)性評估報(bào)告》

測試系統對(duì)芯片施加輸入信号，采集被檢測芯片的(de)輸出信号與₽δ預期值進行(xíng)比較，判斷芯片在不(bù)同工(gōng)¥♥≤作(zuò)條件(jiàn)下(xià)功能(‍σnéng)和(hé)性能(néng)的(de)有(yǒu)效性。作(zuò$☆)為(wèi)重要(yào)的(de)半導體(tǐ)專‌∑≈¥用(yòng)設備，測試系統不(bù)僅可(kπ​≈ě)判斷被測芯片的(de)合格性，還(hái)可(kě)提供關于設計(jì)、∑✘ "制(zhì)造過程的(de)薄弱環節信息，有(y✘​®☆ǒu)助于提高(gāo)芯片制(zhì)造γ•←水(shuǐ)平。因此，檢測設備作(zuò↕φ)為(wèi)能(néng)夠優化(huà)制(zhì)程控制(zhπ®βì)良率、提高(gāo)效率與降低(dī)成本的(de♠ )關鍵，未來(lái)在半導體(tǐ)産業¶Ω<β(yè)中的(de)地(dì)位将會(huì)日(rì)益凸顯。>δ↔

根據工(gōng)藝環節不(bù)同，測試系統主要↔‍&(yào)用(yòng)于晶圓測試和(hé)成δ•∑∏品測試。晶圓檢測是(shì)指在晶圓出廠(chǎng)後進↓ ¶行(xíng)封裝前，通(tōng)過探針台和(hé)測試系統配合使用≤α★σ(yòng)，對(duì)晶圓上(shàng)的(de)芯片進行(‍δxíng)功能(néng)的(de)測試。其測試<∞ 過程為(wèi)：探針台将晶圓逐片自(z&∑‌ì)動傳送至測試位置，芯片的(de)Pad 點通(tōng)過探針、專用(yò®≤×ng)連接線與測試設備的(de)功能(néng)模塊進行(xí↔≤¥←ng)連接，測試系統對(duì)芯片施加輸入信号∞✔→≥、采集輸出信号，判斷芯片在不(bù)同工(×ε≈♦gōng)作(zuò)條件(jiàn)下(xià‌γ↑£)功能(néng)和(hé)性能(néng)的(de)有(y∞©♠ ǒu)效性。測試結果通(tōng)過通(tōng♦ ¥")信接口傳送給探針台，探針台據此對(duì)芯片進行(xíng)打點标記，形成♠¶<晶圓的(de) Map 圖。該環節的(de)目的(de)是(shì)在芯↔∏≈片封裝前，盡可(kě)能(néng)的(de)将無效的(de®≥)芯片标記出來(lái)以節約封裝費(fèi)用(yòng✔∞¶)。

成品測試是(shì)指芯片完成封裝後，通(t♥±ōng)過分(fēn)選機(jī)和(héΩ£)測試系統配合使用(yòng)，對(duì)芯片進行(xíng)功≥σ±₩能(néng)和(hé)電(diàn)參數(shù)性能(néng)測"'♠×試，保證出廠(chǎng)的(de)每顆芯片的(dλ>₩$e)功能(néng)和(hé)性能(néng)指标能(néng)夠達到(dàoβ↕π)設計(jì)規範要(yào)求。其測試過程為(wèi)：≤☆分(fēn)選機(jī)将被檢測芯片逐個(gè)自(zì)動傳送至≈®☆♦測試工(gōng)位，被檢測芯片的(de)引↑♥腳通(tōng)過測試工(gōng)位上(shàng)的(de)測βγ↑≠試爪、專用(yòng)連接線與測試系統的(de)功能(néng)模塊進β∞•行(xíng)連接，測試系統對(duì)芯片施加輸入信号、采>δ™±集輸出信号，判斷芯片在不(bù)同工(gōng)作(zuò)條件§'γ☆(jiàn)下(xià)功能(néng)和(hé)性能(n§∑éng)的(de)有(yǒu)效性。測試結果通(tōng)過通(tōng)信接÷¶口傳送給分(fēn)選機(jī)，分(fēn)選機(jī)據此對(duì)被"↕測試芯片進行(xíng)标記、分(fēn)選、收料或編帶。↔©該環節是(shì)保證出廠(chǎng)每顆集成φ£電(diàn)路(lù)功能(néng)和(hé)性指标能(néng)夠達到(§δ×£dào)設計(jì)規範要(yào)求。

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2、半導體(tǐ)測試系統行(xíng)業(yè)概況

半導體(tǐ)測試系統又(yòu)稱半導體✘♥✘(tǐ)自(zì)動化(huà)測試系統，與半導體≠★π(tǐ)測試機(jī)同義。兩者由于翻譯的(de)原因，以往将₩​ Tester 翻譯為(wèi)測試機(jī)，諸多(£ ✔εduō)行(xíng)業(yè)報(bào)告沿用(yòng® £♣)這(zhè)個(gè)說(shuō)法，但(dàn)現(xiàn)₹®→ 在越來(lái)越多(duō)的(de)企業(yè)将該等産品稱之為(wèi✔↑¶β) ATE system，測試系統的(de)說(shuō)法開("←kāi)始流行(xíng)，整體(tǐ)上(shà ®ng)無論是(shì)被稱為(wèi) Tester 還(háδ✔©i)是(shì) ATE system，皆為λ♣‌₹(wèi)軟硬件(jiàn)一(yī)體(tǐ)。

半導體(tǐ)測試機(jī)測試半導體(tǐ)器(qì)件(ji≤↑©πàn)的(de)電(diàn)路(lù)功能(¥β₹néng)、電(diàn)性能(néng)參數(shù)，具體(tǐ)↑↓Ωα涵蓋直流（電(diàn)壓、流）、交流參數(shù)（時(shí)間(jiā★♦ n)、占空(kōng)比、總諧波失真、頻(pín)率等） ≈、功能(néng)測試等。

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半導體(tǐ)測試貫穿了(le)半導體(tǐ)設計β∏(jì)、生(shēng)産過程的(de)核心環™↕≈節，具體(tǐ)如(rú)下(xià)：

第一(yī)、半導體(tǐ)的(de)設計(jì)流程需要(<✔εyào)芯片驗證，即對(duì)晶圓樣品和(hé)封裝樣品進行(xíng♦•)有(yǒu)效性驗證；

第二、生(shēng)産流程包括晶圓制(zhì)造和(hé'<)封裝測試，在這(zhè)兩個(gè)環節中可(kě)能(néng)由于↔¥≤設計(jì)不(bù)完善、制(zhì)造工(gō∏ε↔ng)藝偏差、晶圓質量、環境污染等因素，造♦π成半導體(tǐ)功能(néng)失效、性能(néng)降低(≤♣dī)等缺陷，因此，分(fēn)别需要(yào)完成晶₽♥圓檢測（CP, Circuit Probing）和(hé)成品測試（FT,≠∏Final Test），通(tōng)過分(f€∑ēn)析測試數(shù)據，能(néng)>α夠确定具體(tǐ)失效原因，并改進設計(jì)及生(shēng)産、封Ωε¶ 測工(gōng)藝，以提高(gāo)良率β¥λ∞及産品質量。無論哪個(gè)環節，要(yào)測試芯片的(de)各項功能≠♥(néng)指标均須完成兩個(gè)步驟：一(yī)是(shì)将芯片的(dαλ←e)引腳與測試機(jī)的(de)功能(néng)模塊連接起來(lái)，∞✔♠二是(shì)通(tōng)過測試機(jī​ )對(duì)芯片施加輸入信号，并檢測輸出信号，判斷芯片功能(n•‌>δéng)和(hé)性能(néng)是(shì)否達到π™ ≈(dào)設計(jì)要(yào)求。

半導體(tǐ)測試系統測試原理(lǐ)如(rú)下(xià)☆δ✔：

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随著(zhe)半導體(tǐ)技(jì)術(shù)不(bù)斷發≈ ©展，芯片線寬尺寸不(bù)斷減小(xiǎo)，耐高(gāo)壓、耐高(gā$✘o)溫、功率密度不(bù)斷增大(dà)、制(z✘↓hì)造工(gōng)序逐漸複雜(zá)，對(duì)半導體★₹≥ (tǐ)測試設備要(yào)求愈加提高(gāo)，測試設備的(de) α∏制(zhì)造需要(yào)綜合運用(yòng)計(jì)算←'(suàn)機(jī)、自(zì)動化(huà)  £✘、通(tōng)信、電(diàn)子(zǐ)和(hé)微(wē₹☆i)電(diàn)子(zǐ)等學科(kē)技(∏>jì)術(shù)，具有(yǒu)技(jì)術(shù)含量高(gāo)、♣£φ設備價值高(gāo)等特點。

根據 SEMI 的(de)統計(jì)數(shù)據，測試設備中測試機(∞ →jī)在晶圓和(hé)成品兩個(gè)環±Ω★β節皆有(yǒu)應用(yòng)，因此占比最大(dà)達到(dào) 63.1©©%，其他(tā)設備分(fēn)選機(jī)占 17.4%、探針台占 15.♠≤2%。按照(zhào) SEMI 對(duì)全球半導體(tǐ)專用(↔≥×¥yòng)設備市(shì)場(chǎng)規←¥模發展的(de)預測，2020 年(nián•​✔)及 2021 年(nián)，全球半導體(tǐ)₩♥←€測試設備市(shì)場(chǎng)規模或将分 ÷(fēn)别達到(dào) 52.2 億美(měΩ≈i)元及 56.1 億美(měi)元。

目前通(tōng)過多(duō)年(nián)的(de)技(jì)術(shù<φ')積累，國(guó)內(nèi)企業(yè)在模拟 IC 和(hé)功★©率半導體(tǐ)測試機(jī)領域國(guó)産化(huà)替代有(yǒu★™')了(le)相(xiàng)當的(de)進步，但(dàn)在技(jì≥γ)術(shù)難度最高(gāo)的(de) SoC 與存€∞"€儲類芯片測試領域還(hái)需要(yào)更多λ÷"(duō)的(de)突破。

3、半導體(tǐ)激光(guāng)打标設備↑↓行(xíng)業(yè)概況

半導體(tǐ)封裝測試環節包括晶圓研磨及切割、上(shàng)€•'片、焊線、塑封、激光(guāng)打印、切割‌®©₽成型、測試。其中激光(guāng)打印涉÷•及的(de)生(shēng)産設備為(wèi)激光(guāng)打±↕→标設備，其主要(yào)作(zuò)用(yòng)為(α↓≠wèi)在半導體(tǐ)元器(qì)件(φΩγjiàn)上(shàng)高(gāo)速打印器(q≠↑ì)件(jiàn)公司名稱及産品型号等內(nè ∑¥↕i)容，是(shì)封裝環節的(de)必要(yào)設備，♣ 屬于半導體(tǐ)封裝測試設備。

半導體(tǐ)激光(guāng)打标是(shì)通(tōng)&✘∑↕過計(jì)算(suàn)機(jī)控制(zhì)軟件(jiàn)，利用>'®✘(yòng)高(gāo)能(néng)量密度的(de)激光(guā"÷<±ng)對(duì)工(gōng)件(jiàn)進行(x™∑×‌íng)局部照(zhào)射，使表層材料汽化(huà)或發✘'♦生(shēng)顔色變化(huà)的(de)化≤×(huà)學反應，快(kuài)速在芯片上(shàng)留下(xià)永久‌↓♣‌性标記的(de)一(yī)種打标方法。在€±∑封裝産線上(shàng)，激光(guāng≤✔‍ )打标設備與分(fēn)選機(jī)相(xiàng)連接∏₽↓♦，通(tōng)過分(fēn)選機(jī)的(de₩©πγ)分(fēn)選，傳送，激光(guāng)打标設備在芯片上(shàng)完成打♣∏±π印标識，因此，行(xíng)業(yè)內(nèi)也(yě)将激光(gπ"§€uāng)打标設備歸類到(dào)分(fēn)選設備類™✔ ↕别中，半導體(tǐ)激光(guāng)打标設備是(shì)激光(guāng)πδ打标技(jì)術(shù)在半導體(tǐ)後道(dào)封測環節的(♠>de)一(yī)個(gè)應用(yòng)分(f>♠∑ ēn)支。

半導體(tǐ)激光(guāng)打标設備在後道(dào)封測的(de∞←≠)應用(yòng)如(rú)下(xià)圖所示：

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在半導體(tǐ)應用(yòng)領域，激光(₽£↔guāng)打标設備優劣的(de)主要(yào)Ω✔衡量指标主要(yào)包括打标的(de)效率（UPH α§λ值），重複精度以及其控制(zhì)系統能(néng)否與封裝産線集成，實現(¶↓xiàn)加工(gōng)信号和(hé)數(shù)據的(de)←φβ精準傳遞以及精益生(shēng)産系統的(de)全流程管理(lǐ)。作(z♠©↔uò)為(wèi)封測工(gōng)藝的(de)一(yī‍ε€)環，激光(guāng)打标的(de) UPH ‍¥¥↓值會(huì)影(yǐng)響封測産線整體(tǐ)的(de)生(s¥"↓≠hēng)産效率。

根據半導體(tǐ)工(gōng)藝流程，激ε¶₹光(guāng)打标設備分(fēn)為(wèi)前道(dào)晶圓生(shēn♣™‍πg)産環節和(hé)後道(dào)封測環節。其中，前道(dàⶣ×o)激光(guāng)打标設備通(tōng)常與切α₹割或視(shì)覺檢測系統及其他(tā)機(jī)械自(zì)動化(huà)↔Ωπ♦模塊集成為(wèi)激光(guāng)一(yī)體(tǐ)化(huà)設備，設 ε'備價值比較高(gāo)，技(jì)術(shù)難度大(✘↑★dà)，目前主要(yào)以進口設備為(wèi)主$♠。對(duì)于後道(dào)封測環節的(de)激光(↑÷guāng)打标設備，國(guó)內(nèi)企業(yè)經過多(duō☆≥↑)年(nián)的(de)技(jì)術(shù)創新和(hé)應用(yòng≥λ÷§)經驗積累，目前技(jì)術(shù)比較成熟，國(guó)産$∑激光(guāng)打标設備占比超過 50%，但(dàn)在全自(zì)動激光(∞✔≈γguāng)打标應用(yòng)領域，由于技(σ≤jì)術(shù)門(mén)檻較高(gāo)和(hé)'λ應用(yòng)推廣不(bù)足，該領域還(hái)是(shì)以德國π (guó) ROFIN、韓國(guó) EO €"等進口設備為(wèi)主。

4、半導體(tǐ)測試設備行(xíng)業(yè)壁壘

半導體(tǐ)測試設備行(xíng)業(yè)屬于技≥←¶δ(jì)術(shù)密集型和(hé)資本密♠↑£"集型相(xiàng)結合的(de)行(xíng)業(yè)，集計(jì)™γ算(suàn)機(jī)、自(zì)動化(huà)、通(tōng®<)信、電(diàn)子(zǐ)和(hé)微(wβδ<×ēi)電(diàn)子(zǐ)等技(jì)術(shù★​ )于一(yī)身(shēn)，對(duì)産業(yè)化(huà)運作(zλ∞≥uò)有(yǒu)著(zhe)很(hěn)高(""÷gāo)的(de)要(yào)求，在技(jì)術(shù)、人(±±rén)才、客戶資源、資金(jīn)、産業(yè)整合方面存在較高∑©(gāo)的(de)進入壁壘，具體(tǐ)如(rú)下(x"♣₩ià)：

（1）技(jì)術(shù)壁壘

半導體(tǐ)測試系統涵蓋多(duō)門(mén)∑α₽α學科(kē)的(de)技(jì)術(shù)，包括計(jì)算(suàn)機₹÷→<(jī)、自(zì)動化(huà)、通(tōng)信、電(diàn≥' )子(zǐ)和(hé)微(wēi)電(d∞≠‍iàn)子(zǐ)等，為(wèi)典型的(de)技( ε jì)術(shù)密集、知(zhī)識密集的(de)高(g•☆> āo)科(kē)技(jì)行(xíng)業(yè)，用(yòng)戶對(du₽♦ì)測試系統的(de)可(kě)靠性、穩定性和(hé)δβ∑一(yī)緻性要(yào)求較高(gāo'•✔≈)，由于芯片技(jì)術(shù)和(hé)複雜(zá)程度不(bù)斷提升✔★，測試設備企業(yè)須具有(yǒu)非常強大(dà)的(de)研發能(™♥néng)力，産品持續叠代升級，方可(kě)應對(duì)÷↓客戶不(bù)斷提高(gāo)的(de)測試參數(shùσ ≥)和(hé)功能(néng)以及效率要(yào)求。半導體(tδ¥™©ǐ)測試系統的(de)技(jì)術(shù)壁壘也(yě)比較高(gāoπσ★)。具體(tǐ)技(jì)術(shù)壁壘如(r​"✘ú)下(xià)：

A、随著(zhe)制(zhì)造成本的(de)提升，測試效率$& 要(yào)求不(bù)斷提高(gāo)，測試‍♥δ✘系統的(de)并行(xíng)測試能(néng)力不(bù)斷提升。在相(xiàng)同的(de)測試時(shí)間(jδφiān)內(nèi)，并行(xíng)測試芯片數(shù£™¶)量越多(duō)，則測試效率越高(gāo)，平均每顆芯片的(de)測>≤試成本越低(dī)。此外(wài)，随著( γzhe)并行(xíng)測試數(shù)越₩ε↕★多(duō)，對(duì)測試系統的(de)功能(≤₹↑♠néng)、測試系統資源同步能(néng)¥♠力、測試資源密度和(hé)響應速度及并行(xíng)測試∞¶₩數(shù)據的(de)一(yī)緻性及穩定性要(yào)求就(jiù)越高(↕δ←δgāo)。

B、随著(zhe)封裝技(jì)術(shù)的(d§♦∏e)發展，功能(néng)複雜(zá)的(de)混合信号芯片ε≈ →越來(lái)越多(duō)，通(tōng)常內(nèi)部含有(yǒu)MCU 系統✘™γ•、數(shù)模/模數(shù)轉換系統、✘©®數(shù)字通(tōng)信接口、無線通(tōng)信接口、"¥™無線快(kuài)充、模拟信号處理(lǐ)或者功&©¶♦率驅動系統等；另一(yī)方面，随著(zhe)汽車(chē)電( ↑diàn)子(zǐ)和(hé)新能(néng)源下(x‍∑×ià)遊應用(yòng)的(de)推廣，功率半 α÷"導體(tǐ)和(hé)第三代半導體(tǐ)器(qì)件(jiàn∑≈®₽)不(bù)僅需要(yào)測試直流參數(sh∏¥≤ù)，還(hái)需要(yào)測試更多(duō≥π ≥)範圍的(de)動态參數(shù)，對(duì$✔★)于測試機(jī)系統的(de)功能(nén∏£$↓g)模塊要(yào)求也(yě)越來(lái)越高(gāo)。

C、随著(zhe)芯片的(de)技(jì)術(shù)和(hé)封¥✔'裝水(shuǐ)平的(de)提升，對(duì)測試系統測試精度的±∏"∏(de)要(yào)求不(bù)斷提升。客戶對(duì)測試系統各方面的(de)精度要(yào)求在提升‌φ$，測試電(diàn)壓精确到(dào)微(wēi)伏（μV）↑♠、測試電(diàn)流精确到(dào)皮安（pA）、 ¶ β測試時(shí)間(jiān)精确到(dào)百皮秒(miǎo)（100p☆γ©≥S）。對(duì)于極小(xiǎo)電(diàn)流和(h✘•€↔é)極小(xiǎo)電(diàn)壓的(de)測試，測試設備要(yào)通(λ♠tōng)過一(yī)些(xiē)技(jì)Ω  π術(shù)訣竅來(lái)克服信号幹擾導緻測試精度偏差的(de)難題。因此，φ‍從(cóng)測試系統的(de)設計(j¥÷®βì)來(lái)看(kàn)，每個(gè)元器(qì)件(jiàn)的(d✘↕↔$e)選擇、電(diàn)路(lù)闆的(de)布局到(dà•ε₽↔o)系統平台結構的(de)設計(jì)都(dōu)需要(yào)深厚的(de)®∏¶₩基礎儲備和(hé)豐富的(de)測試經驗。

D、随著(zhe)大(dà)功率器(qì)件(jiàn♣÷)及第三代半導體(tǐ)功率器(qì)件(↓★π≤jiàn)的(de)廣泛應用(yòng)，芯片的(de)電(diàn)路(lù)密度和(hé)功率密"→λ度更大(dà)，功率半導體(tǐ)測試系®‍統的(de)電(diàn)流/電(diàn)壓及脈寬控制(zhì)精度的♠"÷(de)測試要(yào)求不(bù)斷提高(gāo)。‌♦企業(yè)要(yào)具備較強的(de)研發φ♣→能(néng)力，能(néng)夠快(kuài)速響應客戶的(de)技♠×φ(jì)術(shù)要(yào)求，實現(xiàn)産品技(jì)術(shù₽↔)的(de)升級和(hé)叠代。

E、測試系統軟件(jiàn)須滿足通(tōng)用(yòng)化(h♦←uà)軟件(jiàn)開(kāi)發平台的(de)要(®₽yào)求，符合客戶使用(yòng)習(&♠xí)慣。從(cóng)技(jì)術(shù)層面來(lái)看(kàn)，某個(g↔±è)系列的(de)測試系統會(huì)稱為(wèi)一↓©↑∑(yī)個(gè)測試平台，在這(zhè)個(gè)系列的(de)測試平 Ω台上(shàng)，測試系統能(néng)夠滿足某大(dà)類• （如(rú)模拟或數(shù)模混合信号）芯片的(de)∞€ ₩測試需求，客戶可(kě)以根據具體(tǐ)不(bù)同應用(yòng♠"<λ)要(yào)求的(de)芯片在測試平台上(shàng)進行(xíng)σ">測試程序的(de)二次開(kāi)發。因此，随著(zhe≤↔)集成電(diàn)路(lù)産品門(mén)類的(de)增$©加，客戶要(yào)求測試設備具備通(tōng)用(yòng)化($¶huà)軟件(jiàn)開(kāi)發平台，方便'✔✔客戶進行(xíng)二次應用(yòng)程序開(kāi)發，以π∑适應不(bù)同産品的(de)測試需求。

⑥測試系統對(duì)數(shù)據整合、分(fē±♥←"n)析能(néng)力的(de)提升以及與客戶生(shēng)産管理(l ≠§σǐ)系統集成要(yào)求的(de)提升。

一(yī)方面，客戶要(yào)求測試設備對(∏☆βduì)芯片的(de)狀态、參數(shù)監控、∞ 生(shēng)産質量等數(shù)據進行(xíng)大γ≈♠★(dà)數(shù)據分(fēn)析，另一(yī)方面，随著(zhe)測試功能→ (néng)模塊的(de)增多(duō)，整套測試系統的(★π de)各個(gè)測試模塊測試的(de)數(shù)據須進行  ☆(xíng)嚴格對(duì)應合并，保證最終收取的(de)數(shù)據與半導<₹±☆體(tǐ)元芯片嚴格一(yī)一(yī)對(du↓≠ì)應，并以最終合并的(de)數(shù)據進行(xíng)分 "(fēn)析對(duì)被測的(de)芯片進行(x ©®♠íng)綜合分(fēn)檔分(fēn)級。如(rú)：汽車(chē)電✔✘(diàn)子(zǐ)要(yào)求測試系統須滿足靜​Ω£(jìng)态 PAT，動态 PAT 及離(lí)線 &♦PAT 技(jì)術(shù)的(de)要(yào)求，即通(t∏γōng)過對(duì)測試器(qì)件(jiàn)關&↕鍵參數(shù)進行(xíng)統計(jì)計(jì)算(suàn™α¶)得(de)到(dào)該批次器(qì)件(jiàn)性≤≥‍€能(néng)的(de)分(fēn)布，然後¶σ自(zì)動地(dì)提高(gāo)測試的(de)标準，保證測試通(tōng)"♣過的(de)器(qì)件(jiàn)的(de)一(yī)緻性和(h☆​•é)穩定性。

半導體(tǐ)測試系統企業(yè)需要(yào)具備φα♣多(duō)年(nián)的(de)技(jì)術(shù)研發、産品應用(y® òng)和(hé)服務經驗，才能(néngγ •>)積累和(hé)儲備大(dà)量的(de)技(jì)術(σ®♥shù)數(shù)據，一(yī)方面，對(duì)産品的(de)升級叠代÷₩→→做(zuò)出快(kuài)速的(de)響應，滿足¥€半導體(tǐ)行(xíng)業(yè)産品更新換代較快(kuài)的(♣§de)要(yào)求；另一(yī)方面，深厚的(de)技(jì)術(sh♦π∏₹ù)儲備能(néng)确保設備性能(néng)參數(""shù)持續改良優化(huà)，确保測試☆✔系統在量産中的(de)長(cháng)期穩定性和(hé)可(kě)靠性。對(&®duì)于行(xíng)業(yè)新進入者，↔↑需要(yào)經過較長(cháng)時(shí'¥→)間(jiān)的(de)技(jì)術(shù)儲備和(hé)産品應用(yò★¥↕λng)經驗積累，才能(néng)和(hé ±≥)業(yè)內(nèi)已經占據技(jì)術(s↔Ω→₽hù)優勢的(de)企業(yè)相(xiàng)抗衡，↕₽ 較難在短(duǎn)期內(nèi)全面掌握↓♥所涉及的(de)技(jì)術(shù)，因此本行(xíng)業(yè ↓∞)具有(yǒu)較高(gāo)的(de)技(jì)術(shù)壁壘。ε₹

（2）人(rén)才壁壘

半導體(tǐ)測試設備行(xíng)業(yè)¥×✔≥屬于技(jì)術(shù)密集型産業(yè)。目前，本科(kē)大÷✔₽∞(dà)專院校(xiào)中沒有(yǒu)對(duì)應的(de)學科(δ'kē)專業(yè)。因此，半導體(tǐ)測試設備行(xíng)業( β↔yè)人(rén)才主要(yào)靠企業(yè)培養。研發技(α>∑™jì)術(shù)人(rén)員(yuán)不(bù)僅需要(σ♦♣‍yào)掌握各類技(jì)術(shù)、材料、工(gōng)藝↕>♠、設備、微(wēi)系統集成等多(duō)領域專業(yè)知(zhī)識≈‍Ωλ，還(hái)需要(yào)經過多(duō)年(nián)的(↓ de)實踐工(gōng)作(zuò)并在資深技(jì)術(shù)人(ré<∏∑n)員(yuán)的(de)“傳、幫、帶”下(xià)，才能(né∏<↑ng)完成測試設備的(de)知(zhī)識儲備和(hé)₩©從(cóng)業(yè)經驗，才能(néng)成長(cháng)為(wèi)✘×​具備豐富經驗的(de)高(gāo)端人(rén)">γ才；對(duì)于企業(yè)的(de)管理(lǐ)人(rén)才則需要 ₹(yào)具備豐富的(de)從(cóng)業(yè)經驗，熟悉産業(§φ★☆yè)的(de)運作(zuò)規律，把握行(xíng)業(yè)的λ₩₹(de)周期起伏，才能(néng)指定符合企業(yè)發展階段的✘↔₩∞(de)發展戰略；在市(shì)場(chǎng)拓展和(hé₽¥ )銷售方面，也(yě)需具備相(xiàng)當的(de)技(jì)術(sh☆±ù)基礎和(hé)豐富的(de)行(xíng)業(yè)經驗，以便×‌δ 能(néng)夠及時(shí)、準确傳遞公司産品技(jìΩ®)術(shù)特點和(hé)客戶的(de)技(jì)術(s₩≠₩hù)要(yào)求，因此企業(yè)的(de)技(jì)術≠'↓ (shù)營銷型人(rén)才一(yī)般通(tōng)過售後服↑ €務或技(jì)術(shù)部門(mén)內(nèi)部轉化(huà)，成熟>≥&>銷售人(rén)員(yuán)的(de)培養周期長(cháng)。

目前，國(guó)內(nèi)半導體(tǐ)測試設備行(xΩ♥íng)業(yè)專業(yè)人(rén)才較為(wèi)§•ε匮乏，雖然近(jìn)年(nián)來(★♦®lái)專業(yè)人(rén)才的(de)培養規模不(bù)斷擴大(dà)，φ€但(dàn)仍然供不(bù)應求，難以滿足行(xíng)‍ 業(yè)發展的(de)需要(yào)，π©₽而行(xíng)業(yè)內(nèi)具有(yǒu)豐•$®富經驗的(de)高(gāo)端技(jì)術(shù)人(r★ ≥én)才更是(shì)相(xiàng)對(duì)稀缺。對(Ω☆÷duì)于行(xíng)業(yè)領先的(de)企業(yèφγ )來(lái)說(shuō)，在企業(yè)的(λ  ←de)發展曆程中，都(dōu)會(huì)形成了(le)企業(yè)人(rén‍ ₩)才培養的(de)方法和(hé)路(lù)徑， γ∞并形成人(rén)才梯隊。随著(zhe)半導體(tǐ)行(xín××¥ g)業(yè)處于長(cháng)期景氣周期，有(yǒu)技(jì)術‍♠∞(shù)和(hé)經驗的(de)高(gāoγ₽→")端人(rén)才的(de)需求缺口日(rì)益擴大(dà)，人(rén)≥Ω才的(de)聚集和(hé)儲備成為(wèi)市(shì)場(chǎng)新進入≈÷企業(yè)的(de)重要(yào)壁壘♥§₹。

（3）資金(jīn)和(hé)規模壁壘

為(wèi)保持技(jì)術(shù)的(deΩ✘₹‌)先進性、工(gōng)藝的(de)領先性和(hé)産品的(de)市(sh©‌ì)場(chǎng)競争力，半導體(tǐ)測試設備企業(yè)在技(jì)術"✘(shù)研發方面的(de)資金(jīn)投入也(yě)越來(lái)越σε®大(dà)。企業(yè)的(de)産品必須達到(dào)一( αyī)定的(de)資金(jīn)規模和(hé)業(yè)務規模，♠♥¥才能(néng)獲得(de)生(shēng)存和(hé)發展的¥★♣☆(de)空(kōng)間(jiān)，從(cóng)研發項目立項、試産、驗證✔≥ ε、優化(huà)、市(shì)場(chǎ×∞ng)推廣到(dào)銷售的(de)各個(×∑•'gè)環節都(dōu)需要(yào)投入較高(‍≠←gāo)人(rén)力成本和(hé)研發費(fèi)用(yòng)。半導體(t ‍ǐ)産品類别衆多(duō)，市(shì)場(chǎng)≤×變化(huà)快(kuài)、性能(néng)參數&$™♣(shù)不(bù)盡相(xiàng)同，對(duì)測試設備企業(yè)的‌≥€≠(de)産品規格和(hé)性能(néng)指标都(dōu)提出了(le)§∏δ≈較高(gāo)的(de)要(yào)求，企業(yè)需要≈↑(yào)較好(hǎo)的(de)現(xiàn)金(jīn)流支持企業(yè)÷$♣長(cháng)期的(de)研發投入和(hé)長(cháng)周期 π×的(de)客戶認證投入。

（4）産業(yè)協同壁壘

随著(zhe)半導體(tǐ)産業(yè)分(f<≥$ēn)工(gōng)的(de)進一(yī)步精細化(huà)，在₩✔ Fabless 模式下(xià)，産業(yè)協同壁壘主要(yào)體♦ε '(tǐ)現(xiàn)在測試設備企業(yè)須與半導體(tǐ)上(♠★£shàng)遊設計(jì)企業(yè)、與晶圓制(zhì)造企業(yè)及封♥₩Ω裝測試企業(yè)等建立穩定緊密的(de)合作(zuò)關系。由于測試設‍<備是(shì)在封測企業(yè)産線端對✘♦©←(duì)晶圓或芯片是(shì)否滿足設計(jì)的(de)功 •λ能(néng)和(hé)性能(néng)進行(xíng)檢測，因此，測試設備ε§企業(yè)往往在芯片設計(jì)階段就(jiù)已與設計(jì)∞γ∏企業(yè)針對(duì)芯片的(de)測試功能(néng)、參數(shù)要✔≥§π(yào)求以及測試程序進行(xíng)深入的(de)交流↑↔≤。在下(xià)遊封裝測試企業(yè)端，測試設備企業(yè)£σ®"，根據封測企業(yè)的(de)要(yào)求，結合設計(jì)企業(yè)的←≥®‌(de)要(yào)求，提供符合客戶使用(yòng)習(xí)慣和(h₽φé)生(shēng)産标準的(de)測試程序。通(tōng)過與上(shàα₹​‍ng)下(xià)遊客戶的(de)協作(zuò)，最終确保芯片測試的$Ω(de)質量、效率和(hé)穩定性滿足上(shàng‍®♠★)下(xià)遊的(de)要(yào)求。在産業(yè)協同的 ♥γ♣(de)大(dà)背景下(xià)，半導÷✔™體(tǐ)測試系統企業(yè)前期的(de±™₽β)投入較大(dà)，協同積累需要(yào)相(xiàng)當時(shí)間(jε♠‌iān)。對(duì)于新進入者而言，市(shì) €場(chǎng)先進入者已建立并穩定運營的(de)産業(yα§è)協同将構成其進入本行(xíng)業(yè)的(de∏ γ)一(yī)大(dà)壁壘。

（5）客戶資源壁壘

客戶資源積累需要(yào)長(cháng)時(shí)間♠λ(jiān)市(shì)場(chǎng)耕₩§↓§耘，在獲得(de)半導體(tǐ)客戶訂單前，下(xià)遊客戶特别是(sh♠§$≈ì)國(guó)際知(zhī)名企業(yè)認​₽✔β證的(de)周期較長(cháng)，測試設備的(de)替π★€換需要(yào)一(yī)系列的(de)認證流程，包括企業÷↕α(yè)成立時(shí)間(jiān)、‍✘↕發展曆史、環保合規性、測試設備質量，內(nèi)部生(shēng)産管理(lǐ₹Ω•←)流程規範性是(shì)否達到(dào)客戶的≤ε♦(de)要(yào)求等方面；客戶還(há₽ i)需要(yào)結合産線安排和(hé)芯片項目的(de)>β↕≠情況，對(duì)測試系統穩定性、精密性與可(kě)靠性、一(yī)緻性等特性∑☆要(yào)求進行(xíng)驗證。因此，客戶認證周期為(w÷•èi) 6-24 個(gè)月(yuè)，個(gè)别國(guó)✔±π際大(dà)型客戶的(de)認證審核周期可(k✔∞ě)能(néng)長(cháng)達 2-3 年(nián)。客戶 φ嚴格的(de)認證制(zhì)度增加了(le)新進€₩入的(de)企業(yè)獲得(de)訂單的(de)難度和(hé)× 投入。

目錄

第一(yī)章(zhāng)　半導體(tǐ)設備行(xíng) ♥業(yè)基本概述

1.1　半導體(tǐ)的(de)定義和(hé)分(fēn)類

1.1.1　半導體(tǐ)的(de)定義

1.1.2　半導體(tǐ)的(de)分(fēn)類

1.1.3　半導體(tǐ)的(de)應用(yòng)

1.2　半導體(tǐ)設備行(xíng)業(yè)概述

1.2.1　行(xíng)業(yè)概念界定

1.2.2　行(xíng)業(yè)主要(yào)分(fēn)類

第二章(zhāng)　2016-2021年(  ™nián)中國(guó)半導體(tǐ)設備行(xíng)業(y¥←è)發展環境PEST分(fēn)析

2.1　政策環境（Political）

2.1.1　半導體(tǐ)設備政策彙總

2.1.2　半導體(tǐ)制(zhì)造≥✔利好(hǎo)政策

2.1.3　集成電(diàn)路(lù)€♦$ 企業(yè)稅收優惠

2.1.4　集成電(diàn)路(lù)産業(y"→<è)政策扶持

2.1.5　産業(yè)投資基金(jīn)的(de)支持

2.2　經濟環境（Economic）

2.2.1　宏觀經濟發展概況

2.2.2　工(gōng)業(yè)經濟運行(xíng)情況

2.2.3　固定資産投資狀況

2.2.4　未來(lái)經濟發展展望

2.3　社會(huì)環境（social）

2.3.1　電(diàn)子(zǐ)信息産業(yè)增速

2.3.2　電(diàn)子(zǐ)信息設備規模

2.3.3　研發經費(fèi)投入增長(cháng)

2.3.4　科(kē)技(jì)人(rén)才隊伍♣γ壯大(dà)

2.4　技(jì)術(shù)環境（Technol∑₽πogical）

2.4.1　企業(yè)研發投入

2.4.2　技(jì)術(shù)叠代曆程

2.4.3　企業(yè)專利狀況

第三章(zhāng)　2016-2021年(nián)半導體(tǐ)産業∏<↕(yè)鏈發展狀況

3.1　半導體(tǐ)産業(yè)鏈分(fēn)析

3.1.1　半導體(tǐ)産業(yè)鏈結構

3.1.2　半導體(tǐ)産業(yè)鏈流程

3.1.3　半導體(tǐ)産業(yè)鏈轉移

3.2　2016-2021年(nián)全球半導 >體(tǐ)市(shì)場(chǎng)總體(tǐ)分(fēn)析

3.2.1　市(shì)場(chǎng)銷售規模

3.2.2　行(xíng)業(yè)産品結構

3.2.3　區(qū)域市(shì)場(chǎng)格局

3.2.4　産業(yè)研發投入

3.2.5　市(shì)場(chǎng)競¥≠>♠争狀況

3.2.6　企業(yè)支出狀況

3.2.7　企業(yè)研發投入

3.2.8　産業(yè)發展前景

3.3　2016-2021年(nián)中國(guó)半☆♥÷₹導體(tǐ)市(shì)場(chǎng)運行(xínπ→©δg)狀況

3.3.1　産業(yè)發展曆程

3.3.2　産業(yè)銷售規模

3.3.3　市(shì)場(chǎng)規模現(xi₽≥àn)狀

3.3.4　産業(yè)區(qū)域分(fēn)布

3.3.5　市(shì)場(chǎng)機(jī)會(huì)分(fēn)析

3.4　2016-2021年(nián)±×中國(guó)IC設計(jì)行(xíng)業(yè)發展∞'★"分(fēn)析

3.4.1　行(xíng)業(yè)發展曆程¶‌​

3.4.2　市(shì)場(chǎng)發展規模

3.4.3　企業(yè)發展狀況

3.4.4　産業(yè)地(dì)域分(fēn)布

3.4.5　專利申請(qǐng)情況

3.4.6　資本市(shì)場(chǎng)表現(xiàn) $

3.4.7　行(xíng)業(yè)面臨挑戰αα

3.5　2016-2021年(nián)中國(guó)IC制(zhì)造行(♣∏σxíng)業(yè)發展分(fēn)析

3.5.1　制(zhì)造工(gōng)藝分(fēn)析

3.5.2　晶圓加工(gōng)技(jì)術(shù)

3.5.3　市(shì)場(chǎng)發展規模

3.5.4　企業(yè)排名狀況

3.5.5　行(xíng)業(yè)發展措施

3.6　2016-2021年(nián)中國(guó)βαIC封裝測試行(xíng)業(yè)發展↑←→分(fēn)析

3.6.1　封裝基本介紹

3.6.2　封裝技(jì)術(shù)趨勢

3.6.3　芯片測試原理(lǐ)

3.6.4　市(shì)場(chǎng)發展÷☆♣®規模

3.6.5　芯片測試分(fēn)類

3.6.6　企業(yè)排名狀況

3.6.7　技(jì)術(shù)發展趨勢

第四章(zhāng)　2016-2021年(nián)半導體(β$tǐ)設備行(xíng)業(yè)發展綜≥αδ合分(fēn)析

4.1　2016-2021年(nián)全球ε£半導體(tǐ)設備市(shì)場(chǎng)≈↔'↓發展形勢

4.1.1　市(shì)場(chǎng)銷售規模

4.1.2　市(shì)場(chǎng)結&♥✔構分(fēn)析

4.1.3　市(shì)場(chǎng)區(qū)域分(α™÷∑fēn)布

4.1.4　重點廠(chǎng)商介紹

4.1.5　廠(chǎng)商競争格局

4.2　2016-2021年(nián)中國(guó​≤")半導體(tǐ)設備市(shì)場(chǎng)發展現(xiàn)狀

4.2.1　市(shì)場(chǎng)銷售∑↕規模

4.2.2　市(shì)場(chǎng)需求分(fēn)析

4.2.3　企業(yè)競争态勢

4.2.4　企業(yè)産品布局

4.2.5　市(shì)場(chǎng)國(guó)産化(h <uà)率

4.2.6　行(xíng)業(yè)發展‌>成就(jiù)

4.3　半導體(tǐ)産業(yè)核心設備——晶圓制(zhì)造設備">市(shì)場(chǎng)運行(xíng)分(fēn)析

4.3.1　設備基本概述

4.3.2　核心環節分(fēn)析

4.3.3　主要(yào)廠(chǎng)商介紹™¶

4.3.4　廠(chǎng)商競争格局

4.3.5　市(shì)場(chǎng)發展規模

4.4　半導體(tǐ)産業(yè)核心設備—π♦—晶圓加工(gōng)設備市(shì)場(chǎng)運‍$<行(xíng)分(fēn)析

4.4.1　設備基本概述

4.4.2　市(shì)場(chǎng)發展規‍≥‌♠模

4.4.3　市(shì)場(chǎng)εεπ價值構成

4.4.4　市(shì)場(chǎng)競ε≠争格局

4.5　半導體(tǐ)設備行(xíng)業(yè)财務狀況分↓×(fēn)析

4.5.1　經營狀況分(fēn)析

4.5.2　盈利能(néng)力分(fēn)析

4.5.3　營運能(néng)力分(fēφΩn)析

4.5.4　成長(cháng)能(néng)力'•✔<分(fēn)析

4.5.5　現(xiàn)金(jīn)流量分(fēn)析

第五章(zhāng)　2016-2021年(niá™∞"n)半導體(tǐ)光(guāng)刻設備市(shì)場♥☆(chǎng)發展分(fēn)析

5.1　半導體(tǐ)光(guāng)刻環節基本概述

5.1.1　光(guāng)刻工(gōng)藝重要(yào)性

5.1.2　光(guāng)刻工(gōng)藝的(de)原理(lǐ)

5.1.3　光(guāng)刻工(gōng)藝的(de)流 β程

5.2　半導體(tǐ)光(guāng)刻技(jì​☆→)術(shù)發展分(fēn)析

5.2.1　光(guāng)刻技(jì)術(shù)原理(lǐ)

5.2.2　光(guāng)刻技(jì)術(shù)曆程

5.2.3　光(guāng)學光(guān↔•&‍g)刻技(jì)術(shù)

5.2.4　EUV光(guāng)刻技(jì)術(shù÷≤)

5.2.5　X射線光(guāng)刻技(jì)術(↓'©×shù)

5.2.6　納米壓印光(guāng)刻技(jì)術(shù)

5.3　2016-2021年(nián)光(g&♠uāng)刻機(jī)市(shì)場(chǎ​©↓ng)發展綜述

5.3.1　光(guāng)刻機(jī)ε×‌∞工(gōng)作(zuò)原理(lǐ)

5.3.2　光(guāng)刻機(jī)發展曆程

5.3.3　光(guāng)刻機(jī)産業(yè)鏈條<∞ 

5.3.4　光(guāng)刻機(jī)市(shì)場(chǎσ£∞♠ng)規模

5.3.5　光(guāng)刻機(jī)競争格局

5.3.6　光(guāng)刻機(jī)技(jσ₩Ωβì)術(shù)差距

5.4　光(guāng)刻設備核心産品—&αε—EUV光(guāng)刻機(jī)市(shì)場(chǎng)狀況

5.4.1　EUV光(guāng)刻機(jī)基本介紹

5.4.2　典型企業(yè)經營狀況

5.4.3　EUV光(guāng)刻機(jī₩©ε¥)需求企業(yè)

5.4.4　EUV光(guāng)刻機(jī)研發分(fēn)析

第六章(zhāng)　2016-2021年(nián)半導體(tǐ₽ €<)刻蝕設備市(shì)場(chǎng)發展分(fēn)析

6.1　半導體(tǐ)刻蝕環節基本概述

6.1.1　刻蝕工(gōng)藝介紹

6.1.2　刻蝕工(gōng)藝分(fēn)類

6.1.3　刻蝕工(gōng)藝參數(shù)

6.2　幹法刻蝕工(gōng)藝發展優勢分(fēn)析

6.2.1　幹法刻蝕優點分(fēn)析

6.2.2　幹法刻蝕應用(yòng)分(fφ∑βēn)類

6.2.3　幹法刻蝕技(jì)術(shù)演進

6.3　2016-2021年(nián)全球半導體(₹•§↕tǐ)刻蝕設備市(shì)場(chǎng)發展狀況

6.3.1　市(shì)場(chǎng)發展規₽≠™•模

6.3.2　市(shì)場(chǎng)競争格局

6.3.3　設備研發支出

6.4　2016-2021年(nián)中國(guóα∏‌)半導體(tǐ)刻蝕設備市(shì)場(chǎng)發展狀況$≥

6.4.1　市(shì)場(chǎng)發展規模

6.4.2　企業(yè)發展現(xiàn)狀

6.4.3　市(shì)場(chǎng)需求狀況

6.4.4　市(shì)場(chǎng)發展機(jī)遇

第七章(zhāng)　2016-2021年(n​±→ián)半導體(tǐ)清洗設備市(shì)場(chǎng)發展分(fēn) ®↑析

7.1　半導體(tǐ)清洗環節基本概述

7.1.1　清洗環節的(de)重要(yào)性

7.1.2　清洗工(gōng)藝類型比較

7.1.3　清洗設備技(jì)術(shù)π>‌≥原理(lǐ)

7.1.4　清洗設備主要(yào)類型

7.1.5　清洗設備主要(yào)部件('εjiàn)

7.2　2016-2021年(nián)半∞≈δ導體(tǐ)清洗設備市(shì)場(chǎng Ω✔)發展狀況

7.2.1　市(shì)場(chǎng)發展規模

7.2.2　市(shì)場(chǎng)競争格局

7.2.3　市(shì)場(chǎng)發展機(j₹'ī)遇

7.2.4　市(shì)場(chǎng)發展趨勢

7.3　半導體(tǐ)清洗機(jī)領先企業(y λè)布局狀況

7.3.1　迪恩士公司

7.3.2　盛美(měi)半導體(tǐ)

7.3.3　至純科(kē)技(jì)公司

7.3.4　國(guó)産化(huà)布局

第八章(zhāng)　2016-2021年(nián)半導體(t¥φǐ)測試設備市(shì)場(chǎng)發展分(fēn)∏∞§析

8.1　半導體(tǐ)測試環節基本概述

8.1.1　測試流程介紹

8.1.2　前道(dào)工(gōng)藝檢測

8.1.3　中後道(dào)的(de)測試

8.2　2016-2021年(nián)半導體(tǐ)測試設備市(shì)δ±場(chǎng)發展狀況

8.2.1　市(shì)場(chǎng)發展規模

8.2.2　市(shì)場(chǎng)競争格局

8.2.3　細分(fēn)市(shì)場(chǎng)結構

8.2.4　設備制(zhì)造廠(chǎn∞ g)商

8.2.5　主要(yào)産品介紹

8.3　半導體(tǐ)測試設備重點企業(yè)發展啓示

8.3.1　泰瑞達

8.3.2　愛(ài)德萬

8.4　半導體(tǐ)測試核心設備發展分(fēn)析

8.4.1　測試機(jī)

8.4.2　分(fēn)選機(jī)

8.4.3　探針台

第九章(zhāng)　2016-2021年(nián)半÷ε≠導體(tǐ)産業(yè)其他(tā)設備市(shì)場(chǎng)發展£₩÷₽分(fēn)析

9.1　單晶爐設備

9.1.1　設備基本概述

9.1.2　設備數(shù)量規模

9.1.3　企業(yè)競争格局

9.1.4　市(shì)場(chǎng)空(k₹↕ōng)間(jiān)測算(suàn)

9.2　氧化(huà)/擴散設備

9.2.1　設備基本概述

9.2.2　市(shì)場(chǎng)發展現(γλλ±xiàn)狀

9.2.3　企業(yè)競争格局

9.2.4　核心産品介紹

9.3　薄膜沉積設備

9.3.1　設備基本概述

9.3.2　市(shì)場(chǎng)發展現(xiàn)狀

9.3.3　企業(yè)競争格局

9.3.4　市(shì)場(chǎng)前景展望

9.4　化(huà)學機(jī)械抛光(guāng)設備

9.4.1　設備基本概述

9.4.2　市(shì)場(chǎng)發展規模

9.4.3　市(shì)場(chǎng)競争格局

9.4.4　主要(yào)企業(yè)分(fēn)析

第十章(zhāng)　2016-2021年π♠<♠(nián)國(guó)外(wài)半導體(tǐ∏β≥)設備重點企業(yè)經營狀況

10.1　A公司

10.1.1　企業(yè)發展概況

10.1.2　企業(yè)發展曆程

10.1.3　企業(yè)經營狀況

10.1.4　企業(yè)核心産品

10.1.5　企業(yè)業(yè)務布☆σ局

10.1.6　企業(yè)發展前景

10.2　B公司

10.2.1　企業(yè)發展概況

10.2.2　企業(yè)經營狀況

10.2.3　企業(yè)核心産品

10.2.4　企業(yè)發展前景

10.3　C公司

10.3.1　企業(yè)發展概況

10.3.2　企業(yè)發展曆程

10.3.3　企業(yè)經營狀況

10.3.4　企業(yè)核心産品

10.3.5　企業(yè)發展前景

10.4　D公司

10.4.1　企業(yè)發展概況

10.4.2　企業(yè)經營狀況

10.4.3　企業(yè)核心産品

10.4.4　企業(yè)發展前景

第十一(yī)章(zhāng)　國(guó)內$♦×​(nèi)相(xiàng)關半導體(tǐ)企業(α₹yè)經營狀況分(fēn)析

11.1　A公司

11.1.1　企業(yè)發展概況

11.1.2　相(xiàng)關産品參數(shù)特點

11.1.3　相(xiàng)關産品産銷、價©δ™格、利潤分(fēn)析

11.1.4　财務狀況分(fēn)析

11.1.5　核心競争力分(fēn)析

11.1.6　公司發展戰略

11.1.7　企業(yè)新動态

11.2　B公司

11.2.1　企業(yè)發展概況

11.2.2　相(xiàng)關産品參數(shù)特點

11.2.3　相(xiàng)關産品産銷、價格、利潤Ω ♣‌分(fēn)析

11.2.4　财務狀況分(fēn)析

11.2.5　核心競争力分(fēn)析

11.2.6　公司發展戰略

11.2.7　企業(yè)新動态

11.3　C公司

11.3.1　企業(yè)發展概況

11.3.2　相(xiàng)關産品參數(shù)特點

11.3.3　相(xiàng)關産品産銷、價格、利潤分(fēn)析

11.3.4　财務狀況分(fēn)析

11.3.5　核心競争力分(fēn)析

11.3.6　公司發展戰略

11.3.7　企業(yè)新動态

11.4　D公司

11.4.1　企業(yè)發展概況

11.4.2　相(xiàng)關産品參數(shù)特點

11.4.3　相(xiàng)關産品産銷、價格、利潤分(fēn)析

11.4.4　财務狀況分(fēn)析

11.4.5　核心競争力分(fēn)析

11.4.6　企業(yè)新動态

11.5　E公司

11.5.1　企業(yè)發展概況

11.5.2　相(xiàng)關産品參數>ε(shù)特點

11.5.3　相(xiàng)關産品産銷、價格、利潤分(fēn)析

11.5.4　财務狀況分(fēn)析

11.5.5　核心競争力分(fēn)析

11.5.6　公司發展戰略

11.5.7　企業(yè)新動态

11.6　F公司

11.6.1　企業(yè)發展概況

11.6.2　相(xiàng)關産品參數(shù)特點

11.6.3　相(xiàng)關産品産銷、​₹價格、利潤分(fēn)析

11.6.4　财務狀況分(fēn)析

11.6.5　核心競争力分(fēn)析

11.6.6　公司發展戰略

11.6.7　企業(yè)新動态

第十二章(zhāng)　半導體(tǐ)設備行(♦©€xíng)業(yè)投資價值分(fēn)析

12.1　半導體(tǐ)設備企業(yè)并購(gòu)市(s​≠hì)場(chǎng)發展狀況

12.1.1　企業(yè)并購(gòu)曆史回顧

12.1.2　行(xíng)業(yè)并購(gòu)特征分(fēn)☆♣析

12.1.3　企業(yè)并購(gòu)動機(jī)歸因

12.1.4　行(xíng)業(yè)企業(yè)并購(gòu)§σ™動态

12.2　中國(guó)半導體(tǐ)設備市(shì)場×☆♣®(chǎng)投資機(jī)遇分(fēn)析

12.2.1　整體(tǐ)投資機(jī)遇分(fēn)析

12.2.2　建廠(chǎng)加速拉動需求

12.2.3　産業(yè)政策扶持發展

12.3　半導體(tǐ)設備行(xíng)業(yè)投資機(jī)會(hu↑→ì)點分(fēn)析

12.3.1　薄膜工(gōng)藝設備

12.3.2　刻蝕工(gōng)藝設備

12.3.3　光(guāng)刻工(gōng" €≥)藝設備

12.3.4　清洗工(gōng)藝設備

12.4　半導體(tǐ)設備行(xíng)業(y•¥‌₩è)投資壁壘分(fēn)析

12.4.1　技(jì)術(shù)壁壘分(fēn)析

12.4.2　客戶驗證壁壘

12.4.3　競争壁壘分(fēn)析

12.4.4　資金(jīn)壁壘分(fēn)析

12.5　半導體(tǐ)設備行(xíng)業(yè)投資風(fēng)©¶δ險分(fēn)析

12.5.1　經營風(fēng)險分(fēn)析

12.5.2　行(xíng)業(yè)風(fēα€ ng)險分(fēn)析

12.5.3　宏觀環境風(fēng)險

12.5.4　知(zhī)識産權風(fēng)σ'險

12.5.5　人(rén)才資源風(fēn₩÷g)險

12.5.6　技(jì)術(shù)研發風(fēng)↑★¶險

12.6　半導體(tǐ)設備投資價值評估及建議(yì)

12.6.1　投資價值綜合評估

12.6.2　行(xíng)業(yè)投資特點分(fēn)析

12.6.3　行(xíng)業(yè)投資策略建議(yì)

第十三章(zhāng)　中國(guó)行(xíng)業(yè)标杆企φ$業(yè)項目投資建設案例深度解析

13.1　半導體(tǐ)濕法設備制(zhì)造項目

13.1.1　項目基本概述

13.1.2　資金(jīn)需求測算(suàn)

13.1.3　建設內(nèi)容規劃

13.1.4　經濟效益分(fēn)析

13.1.5　項目基本概述

13.1.6　資金(jīn)需求測算(suàn)

13.1.7　實施進度安排

13.1.8　經濟效益分(fēn)析

13.2　光(guāng)刻機(jī)産業(yè)化(¥↔∏huà)項目

13.2.1　項目基本概述

13.2.2　資金(jīn)需求測算(suàε•↕n)

13.2.3　建設內(nèi)容規劃

13.2.4　經濟效益分(fēn)析

13.3　半導體(tǐ)設備産業(yè)化(huà)基地(dì)建設項目

13.3.1　項目基本概述

13.3.2　資金(jīn)需求測算(suàn)

13.3.3　項目進度安排

13.3.4　項目投資價值

第十四章(zhāng)　2021-2027年(nián)中國(guó)半導體(ε™​σtǐ)設備行(xíng)業(yè)發展趨勢及預測分(fēn)析

14.1　中國(guó)半導體(tǐ)産業(yè)未來(lái)發展Ω↕✘π趨勢

14.1.1　技(jì)術(shù)發展利好(hǎo)

14.1.2　自(zì)主創新發展

14.1.3　産業(yè)地(dì)位提升

14.1.4　市(shì)場(chǎng)應用(yòn★∑↕g)前景

14.2　中國(guó)半導體(tǐ)設備行 $(xíng)業(yè)發展前景展望

14.2.1　政策支持發展

14.2.2　行(xíng)業(yè)發展機(jī)遇

14.2.3　市(shì)場(chǎng)應用(y₽↑£òng)需求

14.2.4　行(xíng)業(yè)發展前景

14.3　2021-2027年(nián)中國(guó)半導體→↔(tǐ)設備行(xíng)業(yè)預測分(fēn)析

14.3.1　2021-2027年(nián)中國(guó≈λπ )半導體(tǐ)設備行(xíng)業(yè)影(yǐng)響因素分(fēn¶✘δ)析

14.3.2　2021-2027年(nián)中國(guó)半導體(tǐ)☆↓設備銷售規模預測